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一种有效去除化学机械抛光后残留有机物的方法
2009-08-17 武彩霞 刘玉岭 刘效岩 康海燕 苏艳勤

  本文提出了硅片化学机械抛光后表面残留的有机物污染,介绍了金刚石膜电化学合成过氧化物的方法,原理。根据有机物易被氧化分解的特性,采用金刚石膜电化学法合成的过氧化物,利用过氧化物的氧化性氧化分解硅片化学机械抛光后表面的有机物残留配合特选的表面活性剂,并加超声清洗,物理化学方法结合,从而达到去除有机物污染的目的。实验表明,利用金刚石膜电化学法合成的过氧化物配合特选的表面活性剂作为清洗试剂,加超声进行清洗,能够有效去除硅片化学机械抛光后表面的有机物残留,达到较好的清洗效果。

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